第585章 國產光刻機崛起的希望！高通？小丑罷了！
EUV光源，即13。5奈米波長的極深紫外光，是實現「超精密電路雕刻」的核心，直接決定了晶片的最小線寬。整合度與效能上限。
只需一次曝光，就能把掩膜版上的電路圖，複製到晶圓表層。
而傳統的DUV光刻機，需透過「多重曝光」，才能形成晶片所需的精細線路。
具體來說，就是要對同一區域的光刻膠進行2到4次光刻與顯影操作，最終效果才相當於 EUV光刻機一次曝光所能達到的水平。
梁勁松從格羅方德。聯華電子手裡購買的NXT 1950i DUV光刻機，雖然也能生產14奈米。乃至10奈米的晶片，但必須利用多重曝光工藝。
然而，多次曝光會導致光刻步驟增加，生產週期變長。良品率驟減。成本迅速上升，至少要高個30%到50%。
這也是為何阿斯麥只要不向華國的Fab工廠出售EUV光刻機，便能牢牢卡住整個半導體行業脖子的主要原因。
即便掌握了其他關鍵技術，也會因製造成本居高不下，從而失去商業價值與市場競爭力。
就拿同一款晶片產品來說，高通以20美幣的價格出售仍有毛利可賺，但國內晶片製造商若同樣以20美幣的價格售賣，反而要虧損三成。
面對這樣的成本與盈利差距，採購方自然不願買單。
陳延森提出的磁約束放電激發方式，則放棄了雷射轟擊液態金屬錫。激發極深紫外光的方案，轉而採用在強磁場約束下，透過高功率脈衝放電，在金屬錫靶表面產生穩定。高亮度等離子體的技術路徑。
優點顯而易見，固態靶材加高壓放電，機械結構更簡單，穩定性更高。
這是一項差異化極大的技術，可以繞過大量現有的LPP專利壁壘牆。
「辛苦了，繼續在磁約束放電激發技術的基礎上，深耕延伸專利，以防歐美的半導體公司使用微創新的手段，反過來限制我們。」
陳延森在聽完林南的彙報後，當即叮囑道。
高通為什麼栽了？
還不是他在射頻。通訊解碼等技術上，設定了全新的專利壁壘，把高通的出口給堵住了。
要不然，保羅。雅各布能心甘情願地與天工科技簽訂專利交叉授權協議？
想都別想！
自己走過的路，當然要堵死！
他可不想有朝一日，突然冒出來一家公司，起訴星源科技侵權。
「好的老闆，我知道構建專利生態壁壘的重要性。」林南立即應道。
他是滬城光學精密機械研究所的高階工程師，在行業內小有名氣。
之前，星源科技和華科協會下屬光電所聯手推進攻關計劃時，胡銳暉就向陳延森推薦了林南。
陳延森要錢給錢，要器材給器材，完全是一副財大氣粗的樣子。
林南在研究所蹉跎了十幾年，眼看民營公司的研究員都拿到了諾貝爾化學獎，他哪裡還坐得住？
在收到陳延森的邀請後，二話不說，就加入了星源科技的光學研究實驗室，與光電所的院士們並肩作戰，試圖另闢蹊徑，尋找一種可商用的EUV光源激發方式。
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