至於後面理查德會問LVDT的事，算是在時珈一的意料之中。
她得想想怎麼回。
而且她還是要了解一下對方是否有按照她誤導的方向，有沒有做相關的實驗，或者說進展如何了。
同時，她還要看看自己在積體電路的方向上到底還缺了什麼。
想到這裡，時珈一沒急著回信，而是拿出筆記本開始一條條的寫積體電路的製作必備條件。
第一是圓晶製備，也就是拉9個9的單晶矽，目前知道工藝技術有首拉法和懸浮法，需要自己多做嘗試。其中切割、拋光、化學腐蝕等方法己攻略。
理查德說矽的切割難，是因為他們沒有用超聲波，自己這方面是沒有問題的。
第二是熱氧化，也就是生長二氧化矽，這個方向理查德己經給了提醒。用石英管高溫爐，通入高純度氧氣或水蒸氣，具體溫度在900-1200度之間，也需要多做嘗試溫度的準確性。
第三就是光刻，她自己是知道這上面需要塗覆液態光刻膠，並且將畫有電路圖的玻璃掩模板緊貼在上面，用紫外光進行曝光。曝光後的光刻膠發生性質改變，放入顯影液中洗去未曝光部分，露出需要摻雜的二氧化矽視窗。
但這個過程很容易產生汙染，並且光刻膠本身的解析度有限，所以她要解決的是潔淨室的問題。
時珈一打了個叉，她沒有十個億來解決這個問題。
第西步，擴散摻雜，將光刻好的矽片放入擴散爐，通入含有磷或硼的氣體，在高溫下讓雜質原子穿過視窗滲入矽中，形成N型或P型區，這個步驟她很清楚，也會做，唯一的問題是蘇國用的是管式爐擴散，溫度波動有點大，導致優良差異大。沒關係。有一個能用就行。
第五步是去膠與清洗，擴散完成後，必須去除殘留的光刻膠。她記得美帝是用強酸煮沸或有機溶劑浸泡的化學溼法去膠，隨後用超純水沖洗。但容易殘留有機物或損傷金屬層。
除非.......除非她把60年代出來的等離子去膠技術給攻克了。
但這樣又回到了原點，等離子工藝對潔淨度要求極高，哪怕一粒灰塵落在晶圓上都會導致報廢。
而且.......目前的知識讓她對等離子體中“自由基”、“離子轟擊”等微觀化學反應機理的認識還非常淺薄........
時珈一搖搖頭，算了算了，去膠先將就吧。
第六步是光刻與刻蝕，也就是再度光刻，像理查德說的，在需要引出電極的地方開出視窗。
在真空鍍膜機中蒸鍍鋁，利用光刻膠保護電路，用酸液腐蝕掉多餘的鋁，形成金屬導線。
需要掌握真空蒸鍍鋁工藝和溼法腐蝕工藝。
這個方法蘇國己經有了，只是裝置比較簡陋。
第七步就是封裝了，蘇國是人工封裝，但是時珈一自己之前給國家做過一個焊接工藝，對於密封性而言絕對沒有對手。
這一步她可以解決。
時珈一寫完後，仔細看了看，發現她現在最大的問題，居然是沒有錢！
不然完全可以給華國捐一個潔淨室！
有了潔淨室，她就可以先試著做出一個低配版壽命短的積體電路了......
唉，夢想和現實隔了一條黃金河。
