第611章 國產光刻機的研發程序，至少縮短了十年！
自從星源科技與華科協會下屬的光電所，聯手研發出了『磁約束放電等離子體光源』（即P）技術後，便開始著手攻克光刻機的第二大技術壁壘——光學系統。
畢竟，單是『造出光』還不行，還得『用好這束光』，才能完成晶圓曝光，進而實現晶片的生產製造。
可讓陳延森頓感無奈的是，國內EUV光源激發方式的主流研發方向，基本以雷射產生等離子體。放電等離子體或者雷射誘導放電等離子體為主。
而星源科技光學部絕大多數工程師的技能和專案經驗，都與研發需求不匹配。
所以在研發配套光學系統時，進度極為緩慢。
要知道，EUV光幾乎會被所有物質吸收，因此無法使用傳統的玻璃透鏡，整個光路必須在真空環境中使用反射式光學系統。
收集鏡。照明系統。投影物鏡系統。掩膜版和掩膜臺都得設計配套的技術方案。
P-EUV光源技術確實走出了一條獨特的新路，但這種創新並非沒有代價。
一切障礙，都要自己去掃平。
陳延森在獲悉光學部的研發進度後，立馬就絕望了。
他心裡清楚，若不給這幫人指條明路，恐怕五年。十年，都沒法往前邁出一步。
不得不說，他高估了林南團隊的水平。
他沒想到，這麼簡單的配套技術方案，林南等人卻在正確的路口邊緣，足足蹭了四五十天，卻無絲毫進展。
於是，陳延森在開發出脈思（ss）V1。0後，又馬不停蹄地設計出了「多殼層掠入射橢圓收集鏡系統」。
這玩意本質上是一套精密的多層膜鏡子，可以高效捕獲EUV光源，並將其初步聚焦引導至照明系統裡。
難點主要有兩個：收集效率和抗損傷能力。
前者是因為EUV光線是向四面八方發散的，若想提升收集效率，就得設計複雜的多鏡拼接結構，同時保證每片鏡子的角度校準精度都要達到微米級。
然而，任何角度上的偏差都會導致光線漏失，從而影響到收集效率。
後者是因為等離子光源被激發後，會產生極高的溫度，這就需要超強的抗損傷能力。
收集效率要求多層膜具備「薄。勻。純。無遮擋」等特性，以最大化反射率和角度適配性。
而抗損傷能力要求多層膜又得「厚。硬。耐侵蝕」，必須增加額外保護層的材料。
聽起來很矛盾，但這也正是收集鏡的技術難點所在。
陳延森設計的這套「多殼層掠入射橢圓收集鏡系統」，便很好地平衡了收集效率與抗損傷能力。
不僅能夠高效捕獲由高功率脈衝放電。轟擊金屬錫靶產生的13。5奈米EUV光，還能將其匯聚到遠處的中間焦點，為後續的照明系統提供足夠功率且均勻的光束。
與此同時。
林南很快就發現了這封加密郵件，在開啟技術文件後，先匆匆掃了一眼，接著就愣在了原地。
老闆發來的這套方案太完整了，從光學設計的構型。入射角，再到基底材料。反射塗層。熱管理子系統和電磁場碎屑減緩系統，甚至連鍍膜工藝的引數表。誤差校準的演算法模型都附帶在內。
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