思路很簡單:裝置硬體做不到零點零二奈米的精度,就在每一層鍍膜的過程中用感測器即時採集資料,反饋到演算法裡,演算法即時修正下一步的沉積引數。
等於讓一個手抖的人,靠一套自動修正系統,畫出一條直線。
八月九號,凌晨兩點,補償引數跑出來了。
小周把引數灌進裝置控制系統,重啟。
濺射裝置嗡嗡響了起來。
錢院士站在無塵室的觀察窗外,看著裡面。
第一層鉬膜,沉積開始。
感測器採集,資料回傳,演算法修正。第二層矽膜,沉積,採集,修正。
一層鉬,一層矽,交替沉積。
EUV反射鏡面需要四十對鉬矽多層膜——八十層,每層厚度不到七奈米。
八月十號,下午三點,八十層鍍完。
小周從無塵室裡出來,手裡端著一塊圓形基片,直徑十五釐米,表面泛著金屬光澤。
錢院士接過來,放在檢測臺上。
橢偏儀啟動,雷射打在鏡面上,反射,探測器接收。
資料出來了。
小周看著螢幕,念數:“單層膜厚度誤差,零點零三五奈米。”
錢院士沒說話。
手冊要求零點零二,他們做到了零點零三五。沒達標,但比原來的零點零八好了一倍多。
“反射率呢?”
小周切換到下一組資料:“十三點五奈米波長,反射率百分之六十二點三。”
錢院士看著這個數字。
手冊上蔡司的指標是百分之六十七,差了不到五個點。
但是,EUV光刻機的最低工作門檻是百分之六十。
他們過線了。
錢院士走到角落,拿起電話。
“紅旗,光打通了。”
張紅旗在煤市街的院子裡,正看著陳默送來的一份報告。
“什麼意思?”
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