《1977,趕山打獵娶女知青》第1364章 膜厚控制(2)

作者:梅菜乾扣肉·2個月前

思路很簡單:裝置硬體做不到零點零二奈米的精度,就在每一層鍍膜的過程中用感測器即時採集資料,反饋到演算法裡,演算法即時修正下一步的沉積引數。

等於讓一個手抖的人,靠一套自動修正系統,畫出一條直線。

八月九號,凌晨兩點,補償引數跑出來了。

小周把引數灌進裝置控制系統,重啟。

濺射裝置嗡嗡響了起來。

錢院士站在無塵室的觀察窗外,看著裡面。

第一層鉬膜,沉積開始。

感測器採集,資料回傳,演算法修正。第二層矽膜,沉積,採集,修正。

一層鉬,一層矽,交替沉積。

EUV反射鏡面需要四十對鉬矽多層膜——八十層,每層厚度不到七奈米。

八月十號,下午三點,八十層鍍完。

小周從無塵室裡出來,手裡端著一塊圓形基片,直徑十五釐米,表面泛著金屬光澤。

錢院士接過來,放在檢測臺上。

橢偏儀啟動,雷射打在鏡面上,反射,探測器接收。

資料出來了。

小周看著螢幕,念數:“單層膜厚度誤差,零點零三五奈米。”

錢院士沒說話。

手冊要求零點零二,他們做到了零點零三五。沒達標,但比原來的零點零八好了一倍多。

“反射率呢?”

小周切換到下一組資料:“十三點五奈米波長,反射率百分之六十二點三。”

錢院士看著這個數字。

手冊上蔡司的指標是百分之六十七,差了不到五個點。

但是,EUV光刻機的最低工作門檻是百分之六十。

他們過線了。

錢院士走到角落,拿起電話。

“紅旗,光打通了。”

張紅旗在煤市街的院子裡,正看著陳默送來的一份報告。

“什麼意思?”

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