坐在周政左手邊的一個年輕女研究員開口了。
短頭髮，說話很快。
碳管陣列生長工藝負責人，林恩恩。
“打個比方。矽基電晶體的電子跑起來像在泥地裡走路，碳管裡的電子像在冰面上滑。
同樣的距離，一個喘得要死，一個根本沒出汗。”
方墨在角落裡輕聲嘀咕了一句：“冰面上打冰壺。”
林恩恩看了他一眼，沒理。
“載流子飽和速度四乘十的七次方釐米每秒，矽的四倍。”
周政切到下一頁，“更關鍵的是，碳管的一維超薄體結構天然壓制短溝道效應。
矽基晶片縮到三奈米以下，量子隧穿漏電堵都堵不住，得靠GAA環柵、背面供電這些複雜架構去兜。
碳管不用。物理結構本身就是答案。”
“所以我們在七奈米節點，用的是最簡單的平面頂柵結構。”
陳陽問：“器件架構說一下。”
周政右手邊的人接過話。
瘦高個，四十出頭，左手無名指纏著創可貼——大概是除錯裝置時劃的。
器件架構與整合負責人，陳鋒。
跟陳陽同姓，但沒有親戚關係。
“無摻雜CS。”
陳鋒把投影切到器件截面圖，“矽基晶片造P型和N型電晶體，得靠離子注入往矽裡面砸摻雜原子。
溫度上千度，而且砸進去的原子分佈不均勻，直接影響器件一致性。”
“我們不摻雜。P型管用鈀做源漏電極，N型管用鈧。
金屬功函式不一樣，電子注入行為不一樣，電晶體極性就分開了。”
他翻到下一張圖，是一組對比資料。
“免摻雜帶來兩個好處。第一，沒有離子注入造成的晶格損傷，器件壽命延長三倍以上。
第二，閾值電壓一致性提升一個數量級。
直接反映在良率上——我們首批試產的良率是百分之九十二點三。”
蘇清妍的筆停了一下，抬頭看了陳陽一眼。
百分之九十二點三。
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